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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PQMH10Z |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 230MHz |
Leistung max | 350mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | DFN1010B-6 |