Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMZ600UNEYL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 600mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DFN1006-3 |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ600UNELYL | Nexperia USA Inc. | 20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | 10000 | Einzelheiten | |
 |
PMZ600UNEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.6A | 0 | Einzelheiten |