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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PMV48XP/MIR |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1nF @ 10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 510mW (Ta), 4.15W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |