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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PMN25ENEX |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.1A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 6.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 597pF @ 15V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |