Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PHK12NQ03LT,518 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.6nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1335pF @ 16V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 12A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHK12NQ03LT,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 11.8A SOT96 | 0 | Einzelheiten | |
 |
PHK12NQ10T,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1 | - | 0 | Einzelheiten |