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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PDTB123EQAZ |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 2.2k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 325mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | DFN1010D-3 |