BUK9Y107-80EX

MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK
BUK9Y107-80EX P1
BUK9Y107-80EX P1
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Nexperia USA Inc. ~ BUK9Y107-80EX

Artikelnummer
BUK9Y107-80EX
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer BUK9Y107-80EX
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 706pF @ 25V
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 37W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fall SC-100, SOT-669

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