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Nexperia USA Inc. ~ BSS138BK,215

Artikelnummer	BSS138BK,215
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	360mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	56pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 350mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-236AB (SOT23)
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	Einzelheiten
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	Einzelheiten
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23		3000	Einzelheiten
BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	Einzelheiten
BSS123	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	-	534000	Einzelheiten
BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten