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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSP230,135 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 300V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 210mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17 Ohm @ 170mA, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSP220,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 | 4000 | Einzelheiten | |
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BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 | 3000 | Einzelheiten | |
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BSP230,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 | 4000 | Einzelheiten | |
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BSP250,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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BSP250,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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BSP254A,126 | NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 | 0 | Einzelheiten | |
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BSP295E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP295E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | 14000 | Einzelheiten | |
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BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP296 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | 0 | Einzelheiten | |
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BSP296E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 | 0 | Einzelheiten |