BSH205G2R

MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
BSH205G2R P1
BSH205G2R P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Nexperia USA Inc. ~ BSH205G2R

Artikelnummer
BSH205G2R
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer BSH205G2R
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 418pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 480mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23)
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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