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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MAP6KE36AE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | Zener |
| Unidirektionale Kanäle | 1 |
| Bidirektionale Kanäle | - |
| Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 30.8V |
| Spannung - Ausfall (Min.) | 34.2V |
| Spannung - Spannung (Max) @ Ipp | 49.9V |
| Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) | 12A |
| Leistung - Spitzenpuls | 600W |
| Stromleitungsschutz | No |
| Anwendungen | General Purpose |
| Kapazität @ Frequenz | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | T-18, Axial |
| Lieferantengerätepaket | T-18 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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MAP66006 | Laird Technologies IAS | ANT ASSY CARRIER MOLD BLACK | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 85.5VWM 137VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 85.5VWM 137VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 85.5VWM 137VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 85.5VWM 137VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 94VWM 152VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 94VWM 152VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |
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MAP6KE110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 94VWM 152VC T18 | - | 0 | Einzelheiten |