JTDB25

TRANSISTOR BIPO 55AW-1
JTDB25 P1
JTDB25 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JTDB25

Artikelnummer
JTDB25
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANSISTOR BIPO 55AW-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer JTDB25
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 55V
Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen 7.5dB
Leistung max 97W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 5A
Betriebstemperatur 200°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall 55AW-1
Lieferantengerätepaket 55AW-1

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