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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | JANTXV1N7039CCT1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 35A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 35A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 150V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-254AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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JANTXV1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTXV1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |