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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | JANTXV1N6311US |
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| Teilstatus | Active |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung max | 500mW |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 29 Ohm |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 30µA @ 1V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Einzelheiten |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Einzelheiten |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Einzelheiten |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Einzelheiten |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Einzelheiten |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Einzelheiten |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |