JANTXV1N5415US

DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
JANTXV1N5415US P1
JANTXV1N5415US P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JANTXV1N5415US

Artikelnummer
JANTXV1N5415US
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer JANTXV1N5415US
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket D-5B
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C

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