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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | JANTX1N6472US |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | Zener |
| Unidirektionale Kanäle | 1 |
| Bidirektionale Kanäle | - |
| Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 15V |
| Spannung - Ausfall (Min.) | 16.4V |
| Spannung - Spannung (Max) @ Ipp | 26.5V |
| Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) | 322A (8/20µs) |
| Leistung - Spitzenpuls | 1500W (1.5kW) |
| Stromleitungsschutz | No |
| Anwendungen | General Purpose |
| Kapazität @ Frequenz | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, G |
| Lieferantengerätepaket | G-MELF (D-5C) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Einzelheiten |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Einzelheiten |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Einzelheiten |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Einzelheiten |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Einzelheiten |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Einzelheiten |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |