JANSR2N3810U

RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSR2N3810U P1
JANSR2N3810U P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JANSR2N3810U

Artikelnummer
JANSR2N3810U
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RH SMALL-SIGNAL BJT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer JANSR2N3810U
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 100µA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Leistung max 350mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket 6-SMD

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