JAN1N6476US

TVS DIODE 51.6VWM GSQMELF
JAN1N6476US P1
JAN1N6476US P1
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Microsemi Corporation ~ JAN1N6476US

Artikelnummer
JAN1N6476US
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TVS DIODE 51.6VWM GSQMELF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
TVS - Dioden
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Produktparameter

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Artikelnummer JAN1N6476US
Teilstatus Active
Art Zener
Unidirektionale Kanäle 1
Bidirektionale Kanäle -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) 51.6V
Spannung - Ausfall (Min.) 54V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp 78.5V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) 107A (8/20µs)
Leistung - Spitzenpuls 1500W (1.5kW)
Stromleitungsschutz No
Anwendungen General Purpose
Kapazität @ Frequenz -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SQ-MELF, G
Lieferantengerätepaket G-MELF (D-5C)

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