JAN1N6109US

TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC SQMELF
JAN1N6109US P1
JAN1N6109US P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JAN1N6109US

Artikelnummer
JAN1N6109US
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC SQMELF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
TVS - Dioden
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Produktparameter

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Artikelnummer JAN1N6109US
Teilstatus Active
Art Zener
Unidirektionale Kanäle -
Bidirektionale Kanäle 1
Spannung - Reverse Standoff (Typ) 9.9V
Spannung - Ausfall (Min.) 11.73V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp 19.11V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) 26.13A
Leistung - Spitzenpuls 500W
Stromleitungsschutz No
Anwendungen General Purpose
Kapazität @ Frequenz -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket B, SQ-MELF

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