JAN1N5552US

DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
JAN1N5552US P1
JAN1N5552US P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JAN1N5552US

Artikelnummer
JAN1N5552US
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Artikelnummer JAN1N5552US
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket D-5B
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C

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