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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APTML20UM18R010T1AG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 109A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9880pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 480W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
| Paket / Fall | SP1 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APTML202UM18R010T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 | - | 0 | Einzelheiten |
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APTML20UM18R010T1AG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 | - | 0 | Einzelheiten |