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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APTML1002U60R020T3AG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| Leistung max | 520W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APTML1002U60R020T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 | - | 0 | Einzelheiten |
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APTML100U60R020T1AG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | - | 12 | Einzelheiten |
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APTML102UM09R004T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3 | - | 0 | Einzelheiten |
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APTML10UM09R004T1AG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 154A SP1 | - | 0 | Einzelheiten |