Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APTM20HM20STG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 89A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 44.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6850pF @ 25V |
| Leistung max | 357W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APTM20AM04FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | - | 0 | Einzelheiten |
|
APTM20AM05FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | 0 | Einzelheiten | |
|
APTM20AM05FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 | 0 | Einzelheiten | |
|
APTM20AM06SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 | - | 0 | Einzelheiten |
|
APTM20AM08FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | - | 0 | Einzelheiten |
|
APTM20AM10FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | - | 0 | Einzelheiten |
|
APTM20AM10STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | - | 0 | Einzelheiten |
|
APTM20DAM04G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APTM20DAM05G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | - | 0 | Einzelheiten |
|
APTM20DAM08TG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | - | 0 | Einzelheiten |
|
APTM20DAM10TG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | 0 | Einzelheiten | |
|
APTM20DHM08G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 | - | 0 | Einzelheiten |