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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | APTM100A13DG |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 65A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 32.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
Leistung max | 1250W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP6 |
Lieferantengerätepaket | SP6 |