APTGTQ150TA65TPG

POWER MODULE - IGBT
APTGTQ150TA65TPG P1
APTGTQ150TA65TPG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGTQ150TA65TPG

Artikelnummer
APTGTQ150TA65TPG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGTQ150TA65TPG
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 365W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 150µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP6-P

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