APTGT750U60D4G

IGBT 600V 1000A 2300W D4
APTGT750U60D4G P1
APTGT750U60D4G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT750U60D4G

Artikelnummer
APTGT750U60D4G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 1000A 2300W D4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGT750U60D4G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1000A
Leistung max 2300W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 800A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 49nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D4
Lieferantengerätepaket D4

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