APTGT400U120D4G

IGBT 1200V 600A 2250W D4
APTGT400U120D4G P1
APTGT400U120D4G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT400U120D4G

Artikelnummer
APTGT400U120D4G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 600A 2250W D4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGT400U120D4G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600A
Leistung max 2250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 400A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 8mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D4
Lieferantengerätepaket D4

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