APTGLQ25H120T2G

POWER MODULE - IGBT
APTGLQ25H120T2G P1
APTGLQ25H120T2G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGLQ25H120T2G

Artikelnummer
APTGLQ25H120T2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGLQ25H120T2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Leistung max 165W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.43nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP2

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