APTGL60DH120T3G

MOD IGBT 1200V 80A SP3
APTGL60DH120T3G P1
APTGL60DH120T3G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGL60DH120T3G

Artikelnummer
APTGL60DH120T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOD IGBT 1200V 80A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- APTGL60DH120T3G PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer APTGL60DH120T3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Asymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Leistung max 280W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.77nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3

Verwandte Produkte

Alle Produkte