APTGF90DH60T3G

IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3
APTGF90DH60T3G P1
APTGF90DH60T3G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGF90DH60T3G

Artikelnummer
APTGF90DH60T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTGF90DH60T3G.pdf APTGF90DH60T3G PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGF90DH60T3G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Asymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 110A
Leistung max 416W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3

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