APTGF30H60T1G

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
APTGF30H60T1G P1
APTGF30H60T1G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGF30H60T1G

Artikelnummer
APTGF30H60T1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTGF30H60T1G.pdf APTGF30H60T1G PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer APTGF30H60T1G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 42A
Leistung max 140W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.35nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP1
Lieferantengerätepaket SP1

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