APTGF200U120DG

IGBT 1200V 275A 1136W SP6
APTGF200U120DG P1
APTGF200U120DG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGF200U120DG

Artikelnummer
APTGF200U120DG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 275A 1136W SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTGF200U120DG.pdf APTGF200U120DG PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer APTGF200U120DG
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 275A
Leistung max 1136W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.8nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP6
Lieferantengerätepaket SP6

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