APTCV40H60CT1G

IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
APTCV40H60CT1G P1
APTCV40H60CT1G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTCV40H60CT1G

Artikelnummer
APTCV40H60CT1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- APTCV40H60CT1G PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer APTCV40H60CT1G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Leistung max 176W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP1
Lieferantengerätepaket SP1

Verwandte Produkte

Alle Produkte