Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT47N65SCS3G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 417W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT47F60J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | - | 10 | Einzelheiten |
 |
APT47GA60JD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | - | 10 | Einzelheiten |
 |
APT47M60J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | - | 10 | Einzelheiten |
 |
APT47N60BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | - | 60 | Einzelheiten |
 |
APT47N60SC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | - | 62 | Einzelheiten |
 |
APT47N65BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | - | 20 | Einzelheiten |
|
APT47N65SCS3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | - | 0 | Einzelheiten |