Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | APT40SM120S |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 273W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D3Pak |
Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |