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Microsemi Corporation ~ APT30M19JVFR

Artikelnummer	APT30M19JVFR
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	300V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	130A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	975nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	21600pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	700W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Lieferantengerätepaket	ISOTOP®
Paket / Fall	SOT-227-4, miniBLOC

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
APT30D100BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247		0	Einzelheiten
APT30D100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247	-	31	Einzelheiten
APT30D100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247	-	564	Einzelheiten
APT30D100BHBG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	-	17	Einzelheiten
APT30D120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247	-	2903	Einzelheiten
APT30D120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247	-	0	Einzelheiten
APT30D20BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	-	125	Einzelheiten
APT30D20BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	-	0	Einzelheiten
APT30D20BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 30A TO247	-	77	Einzelheiten
APT30D30BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247	-	3	Einzelheiten
APT30D30BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 300V 30A TO247	-	111	Einzelheiten
APT30D40BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247	-	4	Einzelheiten