APT20M22B2VFRG

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
APT20M22B2VFRG P1
APT20M22B2VFRG P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APT20M22B2VFRG

Artikelnummer
APT20M22B2VFRG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APT20M22B2VFRG.pdf APT20M22B2VFRG PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer APT20M22B2VFRG
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 435nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 520W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Fall TO-247-3 Variant

Verwandte Produkte

Alle Produkte