2N4449UB

NPN TRANSISTOR
2N4449UB P1
2N4449UB P1
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Microsemi Corporation ~ 2N4449UB

Artikelnummer
2N4449UB
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
NPN TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2N4449UB
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 20V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 400nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 1V
Leistung max 360mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket UB

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