2N3507AU4

NPN TRANSISTOR
2N3507AU4 P1
2N3507AU4 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ 2N3507AU4

Artikelnummer
2N3507AU4
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
NPN TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- 2N3507AU4 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer 2N3507AU4
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 1.5A, 2V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 3-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket U4

Verwandte Produkte

Alle Produkte