2N2896

BJTS
2N2896 P1
2N2896 P1
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Microsemi Corporation ~ 2N2896

Artikelnummer
2N2896
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
BJTS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2N2896
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 90V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 15mA, 150mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 150mA, 10V
Leistung max 1.8W
Frequenz - Übergang 120MHz
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-18

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