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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 1N5231BDO35TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung max | 500mW |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 17 Ohm |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 2V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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1N5230A | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | - | 23544 | Einzelheiten |
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1N5230A (DO-35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | 0 | Einzelheiten | |
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1N5230B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | - | 7093 | Einzelheiten |
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1N5230B (DO-35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | 0 | Einzelheiten | |
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1N5230B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | - | 2375907 | Einzelheiten |
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1N5230B BK | Central Semiconductor Corp | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N5230B TR | Central Semiconductor Corp | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | - | 90000 | Einzelheiten |
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1N5230B-T | Diodes Incorporated | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N5230B-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N5230B-TP | Micro Commercial Co | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | - | 10000 | Einzelheiten |
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1N5230B-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | - | 10000 | Einzelheiten |
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1N5230BDO35 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | 0 | Einzelheiten |