MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

IC DRAM 12G 2133MHZ
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E P1
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E P1
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Micron Technology Inc. ~ MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

Artikelnummer
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 12G 2133MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 12Gb (384M x 32)
Taktfrequenz 2133MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle -
Spannungsversorgung 1.1V
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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