MT47H64M16NF-25E AUT:M

IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ
MT47H64M16NF-25E AUT:M P1
MT47H64M16NF-25E AUT:M P1
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Micron Technology Inc. ~ MT47H64M16NF-25E AUT:M

Artikelnummer
MT47H64M16NF-25E AUT:M
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer MT47H64M16NF-25E AUT:M
Teilstatus Last Time Buy
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz 400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 400ps
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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