IXTX60N50L2

MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
IXTX60N50L2 P1
IXTX60N50L2 P1
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IXYS ~ IXTX60N50L2

Artikelnummer
IXTX60N50L2
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTX60N50L2.pdf IXTX60N50L2 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXTX60N50L2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 610nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 960W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Fall TO-247-3

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