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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IXTK32P60P |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11100pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 890W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 16A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-264 (IXTK) |
Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |