IXTK200N10L2

MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
IXTK200N10L2 P1
IXTK200N10L2 P1
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IXYS ~ IXTK200N10L2

Artikelnummer
IXTK200N10L2
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXTK200N10L2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1040W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264 (IXTK)
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA

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