IXTH2N150L

MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
IXTH2N150L P1
IXTH2N150L P2
IXTH2N150L P1
IXTH2N150L P2
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IXYS ~ IXTH2N150L

Artikelnummer
IXTH2N150L
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTH2N150L.pdf IXTH2N150L PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXTH2N150L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 8.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 290W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 15 Ohm @ 1A, 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Fall TO-247-3

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