IXTH20N50D

MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
IXTH20N50D P1
IXTH20N50D P2
IXTH20N50D P1
IXTH20N50D P2
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IXYS ~ IXTH20N50D

Artikelnummer
IXTH20N50D
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- IXTH20N50D PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IXTH20N50D
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Verlustleistung (Max) 400W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Fall TO-247-3

Verwandte Produkte

Alle Produkte