Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXTD5N100A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTD1R4N60P 11 | IXYS | MOSFET N-CH 600V | - | 6733 | Einzelheiten |
|
IXTD2N60P-1J | IXYS | MOSFET N-CH 600 | - | 6493 | Einzelheiten |
|
IXTD3N50P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 500 | - | 6493 | Einzelheiten |
|
IXTD3N60P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 600 | - | 6488 | Einzelheiten |
|
IXTD4N80P-3J | IXYS | MOSFET N-CH 800 | - | 6488 | Einzelheiten |
|
IXTD5N100A | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A DIE | - | 0 | Einzelheiten |