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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IXTB30N100L |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 545nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13200pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 800W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 20V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PLUS264™ |
Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |